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電子束光刻系統

簡要描述:v最小線寬≤8nm光柵周期≤40nmv拼接精度:100μm寫場下

基礎信息

產品型號

廠商性質

代理商

更新時間

2024-10-22

瀏覽次數

286
詳細介紹

v 最小線寬8nm    光柵周期40nm

v 拼接精度:

100μm寫場下,拼接精度≤20nmmean+3sigma

500μm寫場下,拼接精度≤30nmmean+3sigma

v 套刻精度:

100μm寫場下,拼接精度≤20nmmean+3sigma

500μm寫場下,拼接精度≤25nmmean+3sigma

v 束電流穩定性<0.2%/h   束位置穩定性<120nm/8h

v 50KV加速電壓下,寫場可在0.5μm~500μm的范圍內連續可調

v 肖特基熱場發射電子束源,加速電壓50kv,束電流范圍至少為50pA~40nA,束電流40nA

v 圖像發生器掃描頻率50MHz20bit分辨率,最小步距為0.5nm

v 通用樣品架可承載散片,4inch以下的襯底,4inch專用晶圓專用樣品架,6inch專用晶圓專用樣品架,多樣品專用樣品架


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