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反應性離子刻蝕系統RIE

簡要描述:v可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝v兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

基礎信息

產品型號

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更新時間

2024-10-22

瀏覽次數

319
詳細介紹

v 為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝

v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝

v 電極的適用溫度范圍寬,-150°C400°C

v 應用方向:

? III-V族材料刻蝕工藝

? 固體激光器 InP刻蝕

? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕

? 射頻器件低損傷 GaN刻蝕

? 類金剛石 DLC) 沉積

? 二氧化硅和石英刻蝕

? 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕


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